7月25日，盛美上海宣布對其Ultra C wb濕法清洗設(shè)備進行了重大升級。此次全新升級旨在滿足先進節(jié)點制造工藝的苛刻技術(shù)要求。

據(jù)悉，升級后的Ultra C wb采用了專利申請中的氮氣（N2）鼓泡技術(shù)，有效解決了濕法刻蝕均勻性差和副產(chǎn)物二次沉積問題。在先進節(jié)點制造工藝中，這些問題常見于高深寬比溝槽和通孔結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)磷酸濕法清洗工藝。氮氣鼓泡技術(shù)不但提升了磷酸傳輸效率，而且提高了濕法刻蝕槽內(nèi)溫度、濃度和流速的均勻性。濕法刻蝕過程中質(zhì)量傳遞效率的提高可防止副產(chǎn)物在晶圓微結(jié)構(gòu)內(nèi)積聚，從而避免二次沉積。這項技術(shù)在500層以上的3D NAND，3D DRAM，3D邏輯器件中有巨大的應(yīng)用前景。

盛美上?？偨?jīng)理王堅表示，性能提升始終是首要的追求，通過專利申請中的集成氮氣鼓泡技術(shù)，盛美提升了Ultra C wb設(shè)備的工藝性能。批式處理工藝始終是濕法加工領(lǐng)域的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，與單晶圓濕法清洗相比，其在成本效益、生產(chǎn)效率及化學品消耗方面具有顯著優(yōu)勢。

具體而言，升級后的Ultra C wb設(shè)備具有以下全新特性與優(yōu)勢：1.提升蝕刻均勻性。相較于傳統(tǒng)的槽式濕法清洗設(shè)備，Ultra C wb平臺配備了氮氣鼓泡技術(shù)，將晶圓內(nèi)以及晶圓間的濕法刻蝕均勻性提高了50%以上。

2.提高顆粒去除性能。在先進節(jié)點工藝中，Ultra C wb平臺的卓越清洗能力已被證明能夠高效去除特殊磷酸添加劑的有機殘留物。

3.擴展工藝能力。升級后的清洗臺模塊已通過三道先進節(jié)點工藝驗證，包括：疊層氮化硅蝕刻、溝道孔多晶硅蝕刻以及柵極線鎢蝕刻，可搭配多種化學藥液使用，如磷酸、H4刻蝕液（一種常用于金屬薄膜蝕刻的混合酸溶液）、四甲基氫氧化銨（TMAH）、標準清洗液1（SC1 ）以及硅鍺（SiGe）刻蝕液等。此外，更多道工藝及應(yīng)用方案正在客戶工廠進行開發(fā)。

4.自主知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計。專利申請中的氮氣鼓泡設(shè)計可生成均勻分布的大尺寸氣泡，且氣泡密度精準可控。該專利申請的氮氣鼓泡核心技術(shù)可以應(yīng)用在盛美上海的Ultra C Tahoe（單片槽式組合清洗設(shè)備）平臺上，更好地解決客戶未來的工藝需求。

盛美上海是一家為半導體前道和先進晶圓級封裝應(yīng)用提供晶圓工藝解決方案的供應(yīng)商。公司產(chǎn)品覆蓋了前道半導體工藝設(shè)備，包括清洗設(shè)備、半導體電鍍設(shè)備、立式爐管系列設(shè)備、涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強化學氣相沉積PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備；以及后道先進封裝工藝設(shè)備、硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。

在6月17日披露的調(diào)研紀要中，公司高管表示，公司的PECVD、Track及爐管設(shè)備等產(chǎn)品線均在持續(xù)推進研發(fā)創(chuàng)新，加強顛覆性技術(shù)創(chuàng)新。公司訂單第三季度已排滿，第四季度也即將排滿。公司也將持續(xù)拓展海外市場。

財報方面，受益于全球半導體行業(yè)復蘇，盛美上海2024年實現(xiàn)營業(yè)收入56.18億元，同比增長44.48%；歸母凈利潤11.53億元，同比增長26.65%；今年一季度，公司實現(xiàn)營業(yè)收入13.06億元，同比增長41.73%；歸母凈利潤2.46億元，同比增長207.21%。

此前，公司披露了2025年的經(jīng)營業(yè)績預(yù)測顯示，綜合近年來的業(yè)務(wù)發(fā)展趨勢，以及目前的訂單等多方面情況，預(yù)計2025年全年的營業(yè)收入將在65億元至71億元之間。