7月11日晚間，銀河微電(688689)發(fā)布公告，公司擬以3.1億元投資實(shí)施“高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地一期廠房建設(shè)項(xiàng)目”，旨在提升公司集成電路分立器件產(chǎn)品的生產(chǎn)加工能力，擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。

公告顯示，本次投資資金來源為公司自有資金或自籌資金，建設(shè)周期30個(gè)月，計(jì)劃通過購置土地及開展廠房土建工程，為后續(xù)高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)奠定基礎(chǔ)。

作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體分立器件制造商，銀河微電主要產(chǎn)品包括小信號(hào)器件、功率器件、光電器件、電源管理IC及第三代半導(dǎo)體（SiC、GaN）器件，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、新能源及5G通信等領(lǐng)域。

近年來，受益于下游需求的強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，業(yè)內(nèi)企業(yè)相繼收獲紅利。2022年至2024年，銀河微電營(yíng)業(yè)收入分別為6.76億元、6.95億元、9.09億元，呈逐年上升態(tài)勢(shì)。公司表示，受生產(chǎn)場(chǎng)地、設(shè)備及人力資源的限制，當(dāng)前產(chǎn)能已難以滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，本次推進(jìn)相關(guān)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)能規(guī)模擴(kuò)張，可促進(jìn)業(yè)務(wù)發(fā)展，進(jìn)一步提升盈利水平。

目前，硅材料平臺(tái)仍然是主流的半導(dǎo)體分立器件工藝平臺(tái)，并將在未來相當(dāng)一段時(shí)間內(nèi)占據(jù)主要市場(chǎng)，但新的半導(dǎo)體材料，如SiC、GaN工藝平臺(tái)正在逐步走向成熟，并在新能源汽車、光伏逆變器等場(chǎng)景的應(yīng)用占比顯著提升。

2024年，公司適時(shí)優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，重點(diǎn)提升MOS產(chǎn)品、TVS及穩(wěn)壓管產(chǎn)品的銷售占比，推動(dòng)產(chǎn)銷量穩(wěn)步增長(zhǎng)，特別是在車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目方面，客戶拓展取得顯著突破。與此同時(shí)，進(jìn)一步推進(jìn)光電器件及IGBT器件擴(kuò)產(chǎn)，加大對(duì)新增設(shè)備投入。

為搶抓市場(chǎng)機(jī)遇，銀河微電持續(xù)加快高端產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度。目前，公司初步具備SiC MOSFET及GaN HEMT芯片設(shè)計(jì)能力，并且實(shí)現(xiàn)了小批量應(yīng)用。

值得一提的是，在新產(chǎn)業(yè)布局方面，銀河微電“車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目進(jìn)入產(chǎn)能爬坡階段，產(chǎn)品涵蓋IGBT、SiC MOSFET等，獲得多家車企供應(yīng)鏈認(rèn)證，聚焦新能源汽車的電機(jī)控制、車載充電系統(tǒng)及ADAS領(lǐng)域，滿足AEC-Q101等國(guó)際車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，逐步替代英飛凌、安森美等海外廠商的中高端市場(chǎng)份額。 同時(shí)，光電耦合器及 LED產(chǎn)品已應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域， 并與多家客戶合作，開發(fā)高精度傳感器及電源管理模塊。

對(duì)于2025年經(jīng)營(yíng)計(jì)劃，銀河微電表示將圍繞大客戶、大產(chǎn)品、大業(yè)務(wù)展開，進(jìn)一步豐富功率器件產(chǎn)品種類，提升公司優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品的產(chǎn)能，提高產(chǎn)品檔次，同時(shí)通過精準(zhǔn)營(yíng)銷策略，培植新的增長(zhǎng)點(diǎn)，提升大產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。